De alta Tensión de 200V 80A de Alta Corriente y Baja Caída de Diodo Ideal de Energía Solar Fotovoltaica Anti-Back de Riego de la Conexión en Paralelo

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  • Número De Modelo: 80a
  • Tipo de: Mano Las Piezas De La Herramienta
  • Origen: CN(Origen)

Paquete uno: Doble MOS-5 milliohm resistencia interna 200V-substrato de aluminio Paquete de dos: Doble MOS-2.95 milliohm resistencia interna 150V-substrato de aluminio

200V80A de Alta Potencia Ideal del Diodo

Fácil Instalación Fija con Orificio de Posicionamiento

Positivo alto voltaje ideal del diodo del controlador.En comparación con los diodos Schottky, este puede proporcionar una menor pérdida de la ruta, y en aplicaciones de alta potencia, puede proporcionar una solución más eficiente y ahorrar valioso de la placa de circuito de espacio por la reducción de la demanda para la disipación de calor.

Nota: substrato de Aluminio de la disipación de calor es muy rápido.No desmonte y reparación sin herramientas profesionales.No autorizado desmontaje y la reparación no están garantizados.

De entrada y de salida son equivalentes a los diodos.El voltaje de salida es detectado a ser mayor que el de entrada y el de salida se apaga inmediatamente.La detección de valor en milivoltios nivel.

La correspondiente velocidad es muy rápida.

Propósito: la opción Ideal para la sustitución ordinaria de alta corriente de los diodos y los paneles solares en paralelo.

Es adecuado para la carga y el relleno de protección.Este ideal del diodo no puede ser utilizada en el circuito rectificador.

Admisible rango de operación de voltaje: 100-200V

Estática de la corriente de funcionamiento: 0.6-1.5 mA, que es insignificante para todo el sistema.

Doble MOS Substrato de Aluminio 5mOH:

Continua de la corriente de trabajo es de menos de 40 (sin disipación de calor) 60 grados, de nuevo montado en la gran área del radiador de enfriamiento por aire forzado de la disipación de calor es de 80, placa de circuito tamaño: 55*50 mm, agujero del tornillo diámetro es de 3 mm.

Lámina de cobre de espesor: 2 oz,

La lámina de cobre de la capa y la base de aluminio de la capa de PCB en sustratos de aluminio tienen aislamiento de 1000V de tensión.No hay necesidad de preocuparse acerca de la ruptura.La conductividad térmica es 20 veces más rápido que el de FR4 de fibra de vidrio y puede ser conectado directamente a los grandes radiadores.

El precio se ha incluido una lista de accesorios: ideal del diodo de la placa base * 1 + 3 * cableado de oído + 3 * tornillo

El original de la nueva Infineon 250V de alto voltaje del transistor MOS tiene una conducción de la resistencia interna de sólo 5 mω!

 

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